兆易创新GD25NE系列SPI NOR Flash：专为1.2V SoC打造，双电压供电助力读功耗减半

兆易创新最新推出专为1.2V SoC应用打造的兆易h专造双助力双电压供电SPI NOR Flash产品——GD25NE系列。该系列产品无需借助外部升压电路即可与下一代1.2V SoC实现无缝兼容，创新此产品的系列面世将进一步强化兆易创新在双电压供电闪存解决方案领域的战略布局。凭借更高的打电压读功性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分满足市场对于先进嵌入式存储解决方案日益增长的供电需求，成为智能可穿戴设备、耗减医疗健康、兆易h专造双助力物联网、创新数据中心及边缘人工智能应用的系列理想选择。

GD25NE系列SPI NOR Flash的打电压读功核心供电电压为1.8V，IO接口电压为1.2V，供电支持单通道、耗减双通道、兆易h专造双助力四通道、创新双沿四通道模式，系列最高时钟频率为STR 133MHz，DTR 104MHz。GD25NE系列的写入时间典型值为0.15ms，扇区擦除时间为30ms，其与常规1.2V单电压供电的Flash解决方案相比，数据读取性能提升了20%，写入速度提升60%，擦除时间缩短30%。凭借这些技术优势，GD25NE系列成为新兴嵌入式应用的卓越之选。

为进一步满足能耗敏感型应用的需求，GD25NE系列采用超低功耗设计。其深度睡眠功耗电流低至0.2µA，在双沿四通道104MHz频率下的读取电流低至9mA，擦写电流低至8mA。与传统的1.8V Flash解决方案相比，GD25NE系列的1.2V IO接口设计可将功耗降低50%。这一优化的电源架构不仅显著提升了能效，还保持了Flash器件的高性能表现，同时简化了SoC的系统设计。

“GD25NE系列作为双电源SPI NOR Flash品类的代表，实现了高性能与超低功耗的完美平衡，”兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“凭借显著降低的功耗、更快的读取速度以及更高的擦写效率，GD25NE系列能够满足新一代1.2V SoC持续演进的需求。未来，兆易创新还将不断拓展双电源SPI NOR Flash的产品组合，致力于为客户提供更高效、更可靠、更前沿的闪存解决方案，助力创新应用的发展。”

目前，兆易创新GD25NE系列可提供从32Mb到256Mb的多种容量选择，并支持SOP16（300 mil）和BGA24（5×5 ball array）封装选项。该系列首款产品——256Mb的GD25NE256H现已开始提供样片。其余32Mb至128Mb容量的产品也将陆续推出。